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供应S-8551AA-M5T1G精工系列升降压专营
发布时间： 2017/4/20 14:44:38 | 1429 次阅读
S-8551是一款同步整流降压式单片DC—DC稳压器，具备大输出电流、高效率特性，采用小型SOT封装，适合高密度安装，主要针对移动与便携媒体设备应用，输入电压范围2．0V～5．5V，输出电压由外部分压电阻网络设定，实际输出电压范围是1．0V～4．0V，连续电流控制模式(CCM)，火连续输出电流600mA，典型开关频率1．2MHz，典型效率92％，集成了欠压保护、限流控制和软启动功能，使能控制端子，针对不同电路布局，还有S-855l可供选择，二者的区别只是引脚排列不同。
主要技术参数： 符号 参数说明 典型值 Vin 工作输入电压范围 2．0V～5．5V Vout 输出电压范围 1.1V～4．0V Topr 工作环境温度范围 -40℃～+85℃ Pd 耗散功率 600mW Vfb 反馈电压 0．6V △Vpb／△Ta 反馈电压温度系数 ±100ppm／℃ Isss 待机状态消耗电流(Von/off=0V) ≤1μ A Rpfet 集成的P沟道VMOS导通电阻(Icont=+100mA) ≤600mΩ Rnfet 集成的N沟道VMOS导通电阻电阻(Icont=-100mA) ≤500mΩ Ilim 限流保护限制电流 1A fosc 振荡器振荡频率 1．2MHz Tss 软启动时间 1ms
主要技术参数： 符号 参数说明 典型值 Vin 工作输入电压范围 2．0V～5．5V Vout 输出电压范围 1.1V～4．0V Topr 工作环境温度范围 -40℃～+85℃ Pd 耗散功率 600mW Vfb 反馈电压 0．6V △Vpb／△Ta 反馈电压温度系数 ±100ppm／℃ Isss 待机状态消耗电流(Von/off=0V) ≤1μ A Rpfet 集成的P沟道VMOS导通电阻(Icont=+100mA) ≤600mΩ Rnfet 集成的N沟道VMOS导通电阻电阻(Icont=-100mA) ≤500mΩ Ilim 限流保护限制电流 1A fosc 振荡器振荡频率 1．2MHz Tss 软启动时间 1ms